CBN砂轮磨光片腐蚀A/B：经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。本项目一部分硅片采用腐蚀A，一部分采用腐蚀B。

　　磨光片分档监测：对硅片进行损伤检测，存在损伤的硅片重新进行腐蚀。

　　CBN砂轮粗磨光片：使用一次研磨剂去除损伤层，一般去除量在10~20um。此处产生粗抛废液。

　　检测：检查硅片是否符合要求，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。

　　检测：查看硅片表面是否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。

　　CBN砂轮包装：将单晶硅磨光片进行包装。

    精磨光片：使用精磨剂改善硅片表面的微粗糙程度，一般去除量1 um以下，从而的到高平坦度硅片。产生精抛废液。